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分立器件AEC-Q101認(rèn)證間隙工作壽命測(cè)試介紹

文章來源 : 粵科檢測(cè) 發(fā)表時(shí)間:2023-06-06 瀏覽量:

分立半導(dǎo)體aec-q101-1.jpg


AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)包含了分立半導(dǎo)體元件(如晶體管,二極管等)最低應(yīng)力試驗(yàn)要求的定義和試驗(yàn)條件,試驗(yàn)項(xiàng)目主要參考了軍用級(jí),工業(yè)級(jí)和車用級(jí)的標(biāo)準(zhǔn),其中Group A加速環(huán)境應(yīng)力試驗(yàn)的間隙工作壽命(IOL)就參考了軍用級(jí)標(biāo)準(zhǔn)MIL-STD-750半導(dǎo)半導(dǎo)體器件的標(biāo)準(zhǔn)環(huán)境測(cè)試方法Method 1037進(jìn)行。


試驗(yàn)?zāi)康?/h3>

確定半導(dǎo)體器件在特定條件下是否符合規(guī)定的周期數(shù),在器件反復(fù)開啟和關(guān)閉的條件下,它加速了器件的芯片和安裝面之間的所有鍵合和接口的應(yīng)力,因此較適合用于管殼安裝類型(例如螺柱、法蘭和圓盤)器件。


試驗(yàn)條件

在初始預(yù)熱周期后處于穩(wěn)定狀態(tài)時(shí),一個(gè)周期應(yīng)包括一個(gè)“開啟”階段,即當(dāng)器件突然而非逐漸接通電源直到?Tj最低達(dá)到100℃(不超過器件的最大額定結(jié)溫),緊接著為一個(gè)“關(guān)閉”階段,即當(dāng)電源突然斷開時(shí),通過冷卻管殼達(dá)到變化的?Tj溫度,輔助(強(qiáng)制)冷卻只允許在關(guān)閉階段進(jìn)行。如?Tj不能達(dá)到100℃,可進(jìn)行功率溫度循環(huán)(PTC)試驗(yàn)代替。


所有器件都應(yīng)進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)要求的時(shí)間或循環(huán)次數(shù),?Tj ≥ 100°C時(shí)進(jìn)行1000小時(shí)或15000個(gè)循環(huán),?Tj ≥ 125°C時(shí)進(jìn)行500小時(shí)或7500個(gè)循環(huán),最終測(cè)試時(shí)間或循環(huán)數(shù)依據(jù)下列公式進(jìn)行計(jì)算:

封裝類型

所需的循環(huán)數(shù)

△Tj ≥ 100°C

所需的循環(huán)數(shù)

△Tj ≥ 125°C

每次循環(huán)的時(shí)間
全部

60000/(x+y)

 15000循環(huán)

30000/(x+y) 

7500循環(huán)

最快能力(最少2分鐘開/關(guān))

x分鐘開+y分鐘關(guān)


示例1:一個(gè)能夠開2分鐘/關(guān)4分鐘的封裝,在△Tj≥100℃時(shí)需要10000次循環(huán)[60000/(2+4)],或在△Tj≥125℃時(shí)需要5000次循環(huán)。

示例2:一個(gè)能夠開1分鐘/關(guān)1分鐘的封裝,在△Tj≥100℃時(shí)需要15000次循環(huán),或在△Tj≥125℃時(shí)需要7500次循環(huán)。

X = 器件從環(huán)境溫度達(dá)到規(guī)定的結(jié)溫△Tj 所需的最短時(shí)間。

Y =  器件從規(guī)定的結(jié)溫△Tj 冷卻到環(huán)境溫度所需的最短時(shí)間。

測(cè)試板上的儀器、零件安裝和散熱方法將影響每個(gè)封裝的x和y。


電性能參數(shù)選擇

間隙工作壽命(IOL)試驗(yàn)前后需檢測(cè)電性能參數(shù),以下是最小檢測(cè)的參數(shù)要求,所有器件性能參數(shù)必須符合用戶零件規(guī)范的要求。


晶體管

雙極FETIGBT
BVCEXBVDSSBVCES
ICEXIDSSICES
IEBX或ICBXIGSSIGES
VCE(SAT)RDS(ON)VCE(SAT)
hFEGfs(如指明)hFE

VGs(th)或VGs(OFF)VGE(th)


二極管

VF, IR, VBR(二極管)
VZ或VCLAMP(齊納管)
RF(PIN二極管, 如適用)


變?nèi)莨?/p>

IR, CT


失效判定

a. 試驗(yàn)后電性能參數(shù)不能保持在初始讀數(shù)的±20%以內(nèi)為失效

b. 對(duì)于RDS(ON)最大≤2.5 mOhm的器件,RDS(ON)的變化允許值為≤0.5 mOhm。

c. 允許的泄漏電流不超過測(cè)試前初始值的5倍,對(duì)MOSFET而言,對(duì)于0h測(cè)試值<10nA(IGSS和IDSS),測(cè)試后為50nA。

d. 器件外觀不可以出現(xiàn)任何物理損壞。


粵科實(shí)驗(yàn)室大樓.jpg


分立器件AEC-Q101認(rèn)證機(jī)構(gòu)

江蘇粵科檢測(cè)是專業(yè)第三方AEC-Q101認(rèn)證機(jī)構(gòu),實(shí)驗(yàn)室具備AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)CNAS全項(xiàng)檢測(cè)資質(zhì)及CNCA發(fā)證資質(zhì),可提供汽車半導(dǎo)體分立器件AEC-Q101認(rèn)證、AECQ101測(cè)試服務(wù)。我們可協(xié)助汽車分立半導(dǎo)體企業(yè)制定符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的驗(yàn)證步驟和實(shí)驗(yàn)方法,幫助廠商進(jìn)入車廠供應(yīng)鏈,縮短與采購(gòu)商的溝通時(shí)間,推動(dòng)產(chǎn)品品質(zhì)的提高和可交換性。


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