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高溫高濕反偏測試(H3TRB):確保半導(dǎo)體產(chǎn)品可靠性的關(guān)鍵

文章來源 : 粵科檢測 發(fā)表時間:2024-04-07 瀏覽量:

在半導(dǎo)體行業(yè),確保產(chǎn)品質(zhì)量和可靠性是至關(guān)重要的。而進(jìn)行可靠性試驗是提升產(chǎn)品質(zhì)量的主要手段之一。其中,高溫高濕反偏測試(H3TRB)作為重要的驗證項目之一,在工業(yè)級產(chǎn)品可靠性驗證中扮演著關(guān)鍵角色。


高溫高濕反偏測試(H3TRB).jpg


什么是高溫高濕反偏測試?

高溫高濕反偏測試是針對半導(dǎo)體器件在高溫、高濕環(huán)境下長期工作時可能面臨的可靠性問題而設(shè)計的一種測試方法。它通過模擬半導(dǎo)體器件在惡劣環(huán)境下的工作條件,以驗證其長期使用性能及穩(wěn)定性。該測試通常包括在高溫(通常為85℃)和高濕(通常為85%相對濕度)條件下施加反向電壓(通常為100V),以加速器件可能出現(xiàn)的失效和故障。


哪些器件需要做高溫高濕反偏測試?

高溫高濕反偏測試適用于各種封裝的半導(dǎo)體器件,包括但不限于二極管、三極管、MOSFET、整流橋堆和可控硅等分立器件。這些器件在實際工作中可能受到溫度和濕度等環(huán)境因素的影響,因此需要通過高溫高濕反偏測試來驗證其可靠性和穩(wěn)定性。


高溫高濕反偏測試標(biāo)準(zhǔn)

高溫高濕反偏測試通常遵循一系列國際標(biāo)準(zhǔn),其中包括但不限于以下幾個主要標(biāo)準(zhǔn):

- AEC-Q101:汽車電子分立器件質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn),適用于汽車電子元件的可靠性要求。

- MIL-STD-750D:美國軍用標(biāo)準(zhǔn),規(guī)定了軍用電子元件的可靠性試驗方法和程序。

- GJB128:中國軍用標(biāo)準(zhǔn),類似于MIL-STD-750D,適用于軍用電子元件的可靠性測試。

- JESD22A-101:半導(dǎo)體工業(yè)協(xié)會頒布的標(biāo)準(zhǔn),用于規(guī)范半導(dǎo)體器件的測試方法和程序。

這些標(biāo)準(zhǔn)為高溫高濕反偏測試提供了統(tǒng)一的測試條件和要求,確保了測試結(jié)果的可比性和可靠性。


高溫高濕反偏測試方法

高溫高濕反偏測試方法通常遵循以下步驟:

1. 設(shè)定測試條件:根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)要求,設(shè)定測試的環(huán)境溫度、相對濕度和反向電壓等參數(shù)。  

2. 測試樣品準(zhǔn)備:準(zhǔn)備待測試的半導(dǎo)體器件樣品,確保其封裝完好,并進(jìn)行必要的標(biāo)記和記錄。

3. 施加反向電壓:將待測試的器件置于高溫高濕環(huán)境中,并施加設(shè)定好的反向電壓,模擬實際工作條件。

4. 持續(xù)測試:在設(shè)定的測試時間內(nèi)(通常為1000小時),持續(xù)監(jiān)測器件的性能和狀態(tài)變化,記錄可能出現(xiàn)的故障和失效情況。

5. 數(shù)據(jù)分析:對測試結(jié)果進(jìn)行分析和評估,確定器件的可靠性和穩(wěn)定性,以及可能存在的改進(jìn)空間和優(yōu)化方案。

6. 報告撰寫:根據(jù)測試結(jié)果編寫測試報告,包括測試方法、測試條件、測試結(jié)果和分析結(jié)論等內(nèi)容,為產(chǎn)品質(zhì)量改進(jìn)提供參考依據(jù)。


江蘇粵科檢測.jpg


第三方高溫高濕反偏測試(H3TRB)測試機構(gòu)

高溫高濕反偏測試是確保半導(dǎo)體產(chǎn)品可靠性的重要手段之一,通過模擬惡劣環(huán)境下的工作條件,驗證器件的長期使用性能和穩(wěn)定性。遵循相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)和規(guī)范,采用科學(xué)的測試方法和流程,可以有效提升產(chǎn)品質(zhì)量和可靠性,滿足市場和客戶的需求和期待。

江蘇粵科檢測是專業(yè)第三方電子元器件檢測機構(gòu),實驗室配備高溫高濕反偏老化系統(tǒng),可提供二極管、三極管、MOSFET、整流橋等半導(dǎo)體器件第三方高溫高濕反偏測試(H3TRB)測試服務(wù)。


設(shè)備能力

- 溫度偏差:85℃時±2℃,150℃時±2℃;

- 試驗電壓檢測范圍:0~1500V;

- 電壓檢測精度:±(0.5%rdg.+1LSB);

- 電壓檢測分辨率:1V;

- 反向電流檢測范圍:0.1uA~50mA;

- 試驗漏電流檢測精度:±(1%rdg.+0.1uA);

- 電流檢測分辨率:0.01uA。


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